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P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性CSF-14-80-2A-GR

P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性CSF-14-80-2A-GR

p型半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理如下:
半導(dǎo)體中有兩種載流子:導(dǎo)帶中的電子和價帶中的空穴。 如果某一類型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性主要依靠價帶中的空穴,則該類型的半導(dǎo)體就稱為P型半導(dǎo)體。 “P”表示正電的意思,取自英文Positive的個字母。在這類半導(dǎo)體中,參與導(dǎo)電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴,這些空穴來自半導(dǎo)體中的受主。因此凡摻有受主雜質(zhì)或受主

數(shù)量多于施主的半導(dǎo)體都是p型半導(dǎo)體。例如,含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或硅等半導(dǎo)體就是P型半導(dǎo)體。
由于P型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等,故P型半導(dǎo)體呈電中性。空穴主要由雜質(zhì)原子提供,自由電子由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多,多子(空穴)的濃度就越高,導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。


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