銅互連技術
銅互連技術已在0.18 μm和0.13 μm技術代中使用， 但是， 在0.10 μm以后， 銅互連與低介電常數絕緣材料共同使用時的可靠性問題還有待研究和開發。
5.2.5 高密度集成電路封裝的工業化技術
主要包括系統集成封裝技術、50 μm以下超薄背面減薄技術、圓片級封裝技術、無鉛化產品技術等。
5.2.6 應變硅材料制造技術
應變硅的電子和空穴遷移率明顯高于普通的無應變硅材料， 其中以電子遷移率提高尤為明顯。以Si0.8Ge0.2層上的應變硅為例，其電子遷移率可以提高50%以上， 這可大大提高NMOS器件的性能，這對高速高頻器件來說至關重要。對現有的許多集成電路生產線而言， 如果采用應變硅材料， 則可以在基本不增加投資的情況下使生產的IC性能明顯改善，同時也可以大大延長花費巨額投資建成的IC生產線的使用年限。
