半導(dǎo)體多芯片組件專用諧波減速機(jī)CSF-50-50-2UH的英文縮寫為MCM（Multi-Chip Module），這是一種新的電子組裝技術(shù)。
半導(dǎo)體多芯片組件專用諧波減速機(jī)CSF-50-50-2UHMCM）是指多個(gè)
集成電路芯片電連接于共用電路基板上，并利用它實(shí)現(xiàn)芯片間互連的組件。它是一種典型的混合集成組件。這些元件通常通過(guò)引線鍵合、載帶鍵合或倒裝芯片的方式未密封地組裝在多層互連的基板上，然后經(jīng)過(guò)塑料模塑，再用與安裝QFP或
BGA封裝元件同樣的方法將它安裝在
印制電路板上。
比起將元件直接安裝在PCB上，MCM具有一定的優(yōu)勢(shì)。
（1）性能高，例如芯片間傳輸路徑縮短（減少了信號(hào)延遲）、低電源自感、低電容、低串?dāng)_以及低驅(qū)動(dòng)電壓。
（2）小型化，由于MCM的小型化和多功能的優(yōu)點(diǎn)，系統(tǒng)電路板的I/O數(shù)得以減少。
（3）廣泛應(yīng)用于專用集成電路，尤其是生產(chǎn)周期短的產(chǎn)品。
（4）主要使用廉價(jià)的硅芯片，允許混合的半導(dǎo)體技術(shù)，例如si、Ge或GaAs。
（5）混合型結(jié)構(gòu)，包括以芯片級(jí)或球柵陣列封裝的形式進(jìn)行表面安裝的設(shè)備以及離散片式的電容器和電阻。
（6）由于封裝體內(nèi)芯片有限，可保證所封裝產(chǎn)品有較高的成品率。
（7）通過(guò)縮短元件和芯片間的互連尺寸，提高了產(chǎn)品可靠性。
（8）對(duì)各種兩級(jí)互連有良好的適應(yīng)性。引線框架方案可以提高連接點(diǎn)的性能，并使升級(jí)模塊化。
（9）增加了許多新功能。
雖然使用MCM有很多優(yōu)勢(shì)，但它仍然存在不足之處。阻礙其普遍應(yīng)用的主要問(wèn)題是元件如何保持各自的成品率。雖然它的行情看漲，但要提高大部分元件的成品率仍是任重而道遠(yuǎn)。另一個(gè)關(guān)鍵是成本，最新的MCM—L（疊層基片多芯片組件）技術(shù)有較低的制造成本。
下面是與半導(dǎo)體多芯片組件專用諧波減速機(jī)CSF-50-50-2UH制造有關(guān)的三項(xiàng)技術(shù)：
（2）芯片安裝及焊接技術(shù)，例如引線鍵合、載帶自動(dòng)焊和倒裝芯片法。
（3）封裝技術(shù)。 [1]
MCM原則上要具備下列條件：基板具有多層導(dǎo)體層；封裝效率>20%；封裝外殼的I/O引線>100；有多個(gè)專用集成電路（ASIC，application specific integrated circuit）或者超大規(guī)模集成電路（VLSI，Very Large Scale Integration）等。
MCM可以分為四大類。
1）MCM—Z（Z意為零——Zero）：組件不使用基板，而是芯片到芯片、芯片到封裝的直接互連。
2）MCM—L（L意為層壓板——Laminate）：組件基板采用細(xì)導(dǎo)線
印制電路板技術(shù)，在塑料層壓介電板上涂覆銅導(dǎo)線。
3）MCM-C（C意為陶瓷——CerarIlic）：組件的基板為共燒陶瓷，并用厚膜（絲網(wǎng)印制）技術(shù)制作導(dǎo)體圖樣（“共燒”意思是導(dǎo)線和陶瓷同時(shí)在一個(gè)爐子中加熱制作）。
4）MCM—D（D意為沉積——Deposited）：是指通過(guò)在
介電材料（有機(jī)或者無(wú)機(jī)）上進(jìn)行薄膜沉積金屬來(lái)完成互連。陶瓷、玻璃、硅或金屬等都可用于基板。有時(shí)把硅基板的MCM—D稱為MCM—Si。
后三類MCM還派生出MCM—D/L、MCM—D/C、MCM-D/Si、MCM—Si等封裝結(jié)構(gòu)。 [2]
MCM的特點(diǎn)是：封裝延遲時(shí)間縮小，易于實(shí)現(xiàn)組件高速化；縮小整機(jī)/組件封裝尺寸和重量，一般體積可減小1/4，重量減輕1/3；可靠性大大提高。
（1）高速度（高頻）：20世紀(jì)80年代末
微處理器（MPU）的工作頻率為10～20MHz；90年代為100～200MHz，超大型計(jì)算機(jī)的工作頻率達(dá)到幾個(gè)
GHz。
影響MPU存儲(chǔ)器高速化的主要障礙是信號(hào)傳輸延遲問(wèn)題，MCM產(chǎn)品采用多個(gè)裸芯片高密度地安裝在一起，縮短了傳輸路徑長(zhǎng)度，使得信號(hào)延遲大大減小，從而提高了工作頻率。
（2）高密度：MCM電路圖形可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)體線寬/間距為100～20μm；埋孔直徑為150～50μm；通孔直徑為300～200μm；焊盤直徑為250～150μm；層間厚度為100～30μm的水平。SMT的安裝效率（LSI總面積/組件基板面積）為5%～15%，COB約為30%，MCM—L在30%～40%，MCM—C在30%～50%，MCM—D可達(dá)到70%以上。
（3）高散熱：隨著高密度、高速度的發(fā)展，產(chǎn)生MCM的散熱問(wèn)題。出現(xiàn)了一些新的散熱技術(shù)，使得散熱效率大大提高。
（4）低成本：MCM技術(shù)比一般的
SMT等技術(shù)成本降低2～4倍，而MCM—L在低成本開發(fā)方面最有前景。
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