半導(dǎo)體隨機存儲器專用HD減速機CSD-20-160-2UHsemi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器，內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。按其功能可分為:隨機存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存儲器(只讀ROM)。體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。

按功能分類

按其功能可分為:半導(dǎo)體隨機存儲器專用HD減速機CSD-20-160-2UH簡稱RAM)和只讀存儲器(只讀ROM)

RAM包括DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)，當(dāng)關(guān)機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分)，SRAM主要用于高速緩存存儲器。

ROM 主要用于BIOS存儲器。

按制作工藝分類

可分為:雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。

半導(dǎo)體隨機存儲器專用HD減速機CSD-20-160-2UH按存儲原理分類

可分為:靜態(tài)和動態(tài)兩種。

優(yōu)點

體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。

缺點

半導(dǎo)體隨機存儲器專用HD減速機CSD-20-160-2UH和磁芯存儲器不同的是，半導(dǎo)體存儲器屬于易失性存儲器(Volatile Memory)，在電源中斷時會使數(shù)據(jù)消失，如RAM(Random Access Memory)。

主要有:

1. 存儲容量:存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N

2. 存取時間:從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間

3. 存取周期:兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間

4. 平均故障間隔時間MTBF(可靠性)

5. 功耗:動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗