以GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極管LED率先實現商品化生產成功開發藍光LED和LD之后，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體芯片設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用于制造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。 [9] 

新型半導體材料在工業方面的應用越來越多。新型半導體材料表現為其結構穩定，擁有的電學特性，而且成本低廉，可被用于制造現代電子設備中廣泛使用，我國與其他國家相比在這方面還有著很大一部分的差距，通常會表現在對一些基本儀器的制作和加工上，近幾年來，國家很多的部門已經針對我國相對于其他國家存在的弱勢，這一方面統一的組織了各個方面的群體，對其進行有效的領導，然后共同努力去研制更加高水平的半導體材料。這樣才能夠在很大程度上適應我國工業化的進步和發展，為我國社會進步提供更強大的動力。首先需要進一步對超晶格量子阱材料進行研發，目前我國半導體材料在這方面的發展背景來看，應該在很大程度上去提高超高亮度，紅綠藍光材料以及光通信材料，在未來的發展的主要研究方向上，同時要根據市場上，更新一代的電子器件以及電路等要求進行強化，將這些光電子結構的材料，在未來生產過程中的需求進行仔細的分析和探討，然后去滿足未來世界半導體發展的方向，我們需要選擇更加優化的布點，然后做好相關的開發和研究工作，這樣將各種研發機構與企業之間建立更好的溝通機制就可以在很大程度上實現高溫半導體材料，更深一步的開發和利用。